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在光耦驅動電路中，MOS管的驅動電流需要特別的計算，計算的公式也有很多版本，在本文中講了一些具體的解法，大家對于這部分內容感興趣的話，可以了解一下。

有人可能會這樣計算：

開通電流
Ion=Qg/Ton=Qg/Td(on)+tr，帶入數據得Ion=105nc/(140+500)ns=164mA

關斷電流
Ioff=Qg/Toff= Qg/Td(off)+tf，帶入數據得Ioff=105nc/(215+245)ns=228mA。

于是乎得出這樣的結論，驅動電流只需 300mA左右即可。仔細想想這樣計算對嗎？這里必須要注意這樣一個條件細節(jié)，RG=25Ω。所以這個指標沒有什么意義。

應該怎么計算才對呢？其實應該是這樣的，根據產品的開關速度來決定開關電流。根據I=Q/t，獲得了具體MOS管Qg數據，和我們線路的電流能力，就可以獲得Ton= Qg/I。比如45N50，它在Vgs=10V，VDS=400V，Id=48A的時候，Qg=105nC。如果用1A的驅動能力去驅動，就可以得到最快105nS的開關速度。

當然這也只能估算出驅動電流的數值，還需進一步測試MOS管的過沖波形。在設計驅動電路的時候，一般在MOS管前面串一個10Ω左右的電阻（根據測試波形調整參數）。

這里要注意的是要用Qg來計算開啟關斷速度，而不是用柵極電容來計算。