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•產(chǎn)品描述: 

U1H1L3N2D 是一款工作電壓達到500V的高性能 半橋 IPM(Intelligent Power Module)，即智能功率模 塊。是一種高度集成的半導(dǎo)體器件，內(nèi)部集成半橋驅(qū) 動芯片和高速功率 MOSFET，具備體積小，性能高， 散熱好等優(yōu)點。 U1H1L3N2D的高度集成性和豐富的功能使其成為 各種工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用中的理想選擇，能夠提高系統(tǒng)性 能和可靠性。

•主要特點:

內(nèi)置自舉二極管 l 懸浮絕對電壓: 500V l 內(nèi)置 500V/3A MOSFET l 負瞬態(tài)電壓高 l 柵極驅(qū)動電壓范圍 10V~20V l 輸入邏輯兼容3.3V、5V l 集成VCC和VBS欠壓保護 l 防交叉?zhèn)鲗?dǎo)邏輯 l 兩雙通道的匹配傳播延遲

•典型應(yīng)用:

● 高速風(fēng)筒 ●風(fēng)扇 ● 電動工具

•簡易原理圖 

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